VMOS功率場(chǎng)管的外形和內部結構的示意圖如圖1所示。 圖1(b )是p溝道VMOS管的柵極形成為v溝狀，因此柵極表面和氧化膜表面的面積大，有利于大電流控制。 由于柵極仍然與漏極、源極絕緣，VMOS管也是絕緣柵場(chǎng)效應管。 漏極d從芯片引出。 與MOS管相比，—源極和兩極面積較大，二是垂直導電(MOS管沿表面水平導電)，兩者決定了VMOS管的漏極電流ID大于MOS管。 電流ID流從重摻雜m型區域的源極通過(guò)p溝道進(jìn)入輕摻雜N-漂移區域，到達漏極。 該管路耐壓高、功率大，廣泛用于放大器、開(kāi)關(guān)電源、變頻器。 請注意散熱器的安裝，以免將管路放入燒杯中。
圖1 VMOS動(dòng)力場(chǎng)效應器的外形和內部結構示意圖
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根據結構的不同，管子分為兩類(lèi)。
VMOS管，即垂直導電v形槽MOS管；
VDMOS管，即垂直導電雙擴散MOS管。
這些結構分別如圖1-15(a )、(b )所示，(a )是VVMOS結構剖視圖，(b )是VDMOS結構剖視圖. 以VVMOS的結構為例，說(shuō)明VMOS氣管的結構。
獲得垂直溝道的一種方法是在硅表面形成v形槽，開(kāi)始時(shí)在n襯底上生成n外延
層在該外延層內進(jìn)行一次p型溝道體擴散，然后進(jìn)行一次n源區擴散。 然后蝕刻v形槽，使其延伸到N-外延層內。 最后生長(cháng)氧化掩模層。 通過(guò)金屬化提供柵極和其他必要的連接。 包括n源極區域和p溝道主體連接。
根據導電溝道的不同，VMOS管分為n溝道型和p溝道型兩種，可以對應雙極晶體管的npn型和pnp型。
作為一個(gè)示例，圖1-16描繪了n溝道擴展VMOS管的輸出特性曲線(xiàn)。 形狀上與雙極晶體管的輸出特性相似。 但是，內涵不同，這是由VMOS管的基本特性決定的。 將柵極/源極電壓Ugs作為參數繪制VMOS晶體管的輸出特性的各曲線(xiàn)，將基極電流Ib作為參數繪制表面雙極型晶體管的輸出特性的各曲線(xiàn)。
傳輸文件并創(chuàng )建PCB示例